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資料名：
巻： 98 号： 13 ページ： 131114 発行年： 2011年03月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102285308473133
整理番号：11A0791099
高抵抗キャップ層を持つβ-Ga2O3単結晶とAu Schottky接触からなるソーラブラインドフォトダイオード
Solar-blind photodiodes composed of a Au Schottky contact and a β-Ga2O3 single crystal with a high resistivity cap layer
SUZUKI Rikiya
(Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...)
,
NAKAGOMI Shinji
(Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...)
,
KOKUBUN Yoshihiro
(Dep. of Information Technol. and Electronics, Fac. of Sci. and Engineering, Ishinomaki Senshu Univ., 1 Shinmito ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 98 号： 13 ページ： 131114 発行年： 2011年03月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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