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著者 (5件)：
資料名：
巻： 31 号： 12 ページ： 643-650 (J-STAGE) 発行年： 2010年
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201102285919861724
整理番号：11A0128904
酸化ガリウム半導体の表面制御と高品質単結晶薄膜の作製
Artificial Surface Control of Gallium Oxide Semiconductors and Growth of High Quality Single-crystalline Thin Films
藤田静雄
(京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター)
,
大島孝仁
(京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター)
,
大島孝仁
(京都大学工学研究科電子工学専攻)
,
金子健太郎
(京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター)
,
金子健太郎
(京都大学工学研究科電子工学専攻)
資料名：
表面科学
(JSSSJ)
巻： 31 号： 12 ページ： 643-650 (J-STAGE) 発行年： 2010年
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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