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著者 (11件)：
資料名：
巻： 2011 ページ： 296-297 発行年： 2011年
JST資料番号： W0767A ISSN： 2158-5601 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102291490854414
整理番号：11A1648375
読取障害を最小化する設計技法を含む45nm 1Mb埋込みSTT-MRAM
A 45nm 1Mb Embedded STT-MRAM with Design Techniques to Minimize Read-Disturbance
KIM Jung Pill
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
KIM Taehyun
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
HAO Wuyang
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
RAO Hari M.
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
LEE Kangho
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
ZHU Xiaochun
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
LI Xia
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
HSU Wah
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
KANG Seung H.
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
MATT Nowak
(Qualcomm Inc., California, USA)
,
YU Nick
(Qualcomm Inc., California, USA)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2011 ページ： 296-297 発行年： 2011年
JST資料番号： W0767A ISSN： 2158-5601 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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