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著者 (9件)：
資料名：
巻： 22 号： 8 ページ： 920-923 発行年： 2011年08月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102292167491465
整理番号：11A1617976
InGaO3’(ZnO)5バッファ層上への(111)配向Si膜の固相エピタキシャル成長
Solid-phase epitaxial growth of (111)-oriented Si film on InGaO3(ZnO)5 buffer layer
CHEN Tao
(Delft Univ. of Technol., Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Lab. of Electronic ...)
,
WU Meng-Yue
(Delft Univ. of Technol., Kavli Inst. of Nanoscience, Lorentzweg 1, 2628 CJ, Delft, NLD)
,
ISHIHARA Ryoichi
(Delft Univ. of Technol., Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Lab. of Electronic ...)
,
NOMURA Kenji
(Tokyo Inst. of Technol., Materials and Structures Lab., 4259 Nagatsuta, 226-8503, Midori, Yokohama, JPN)
,
NOMURA Kenji
(Tokyo Inst. of Technol., Frontier Res. Center, 4259 Nagatsuta, 226-8503, Midori, Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. of Technol., Materials and Structures Lab., 4259 Nagatsuta, 226-8503, Midori, Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Materials and Structures Lab., 4259 Nagatsuta, 226-8503, Midori, Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Frontier Res. Center, 4259 Nagatsuta, 226-8503, Midori, Yokohama, JPN)
,
BEENAKKER C. I. M.
(Delft Univ. of Technol., Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Lab. of Electronic ...)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 22 号： 8 ページ： 920-923 発行年： 2011年08月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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