文献
J-GLOBAL ID:201102295947588702
整理番号:11A0190985
アニーリングによる金属/絶縁体/n-GaNコンデンサのフラットバンド電圧シフトの研究
Study of the flat band voltage shift of metal/insulator/n-GaN capacitors by annealing
著者 (8件):
KIKAWA Junjiroh
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
KANEKO Masamitsu
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
OTAKE Hirotaka
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
FUJISHIMA Tatsuya
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
CHIKAMATSU Kentaro
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
YAMAGUCHI Atsushi
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NANISHI Yasushi
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NANISHI Yasushi
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics
(Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻:
247
号:
7
ページ:
1649-1652
発行年:
2010年07月
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
CODEN:
PSSBBD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)