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文献
J-GLOBAL ID:201102299202308940   整理番号:11A0571793

背面暴露を使ってガラス基板上に自己-整列した金属二重ゲート低温多結晶Si TFT

Self-Aligned Metal Double-Gate Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors on Glass Substrate Using Back-Surface Exposure
著者 (5件):
HARA Akito
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
SATO Tadashi
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
KONDO Kenji
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
HIROSE Kenta
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
KITAHARA Kuninori
(Shimane Univ., Matsue, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 50  号:ページ: 021401.1-021401.4  発行年: 2011年02月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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