Sorry, this section is only available in Japanese.
前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201202212266886327   整理番号:12A0099443

シンクロトロン放射光電子放出分光により調べたゲート電極とHfO2/Siゲートスタックの間のアニーリングが誘起した界面反応

Annealing-induced Interfacial Reactions between Gate Electrodes and HfO2/Si Gate Stacks Studied by Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy
著者 (9件):
TAKAHASHI H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
OKABAYASHI J.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
TOYODA S.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
KUMIGASHIRA H.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
OSHIMA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
IKEDA K.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
LIU G. L.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
LIU Z.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)
USUDA K.
(Semiconductor Technol. Acad. Res. Center, Kanagawa, JPN)

資料名:
AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)

巻: 879  号: Pt.2  ページ: 1569-1572  発行年: 2007年 
JST資料番号: D0071C  ISSN: 0094-243X  資料種別: 会議録 (C)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。