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著者 (7件)：
資料名：
巻： 645/648 号： Pt.1 ページ： 363-366 発行年： 2010年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202216772542100
整理番号：12A0416640
溶液成長を伴う3C-SiC上の6H-SiCポリタイプ変形により誘発されたヘテロ界面付近の積層欠陥
Stacking Faults around the hetero-interface Induced by 6H-SiC Polytype Transformation on 3C-SiC with Solution Growth
SEKI Kazuaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MORIMOTO Kai
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
UJIHARA Toru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TOKUNAGA Tomoharu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SASAKI Katsuhiro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KURODA Kotaro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA Yoshikazu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 645/648 号： Pt.1 ページ： 363-366 発行年： 2010年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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