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文献
J-GLOBAL ID:201202218897842893   整理番号:12A0417100

Alドープp型4H-SiCにおける補償依存性に輸送について

Compensation-Dependent Carrier Transport of Al-Doped p-Type 4H-SiC
著者 (8件):
KOIZUMI Atsushi
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
IWAMOTO Naoya
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
IWAMOTO Naoya
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
ONODA Shinobu
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
OHSHIMA Takeshi
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
UCHIDA Kazuo
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
NOZAKI Shinji
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)

資料名:
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

巻: 679/680  ページ: 201-204  発行年: 2011年 
JST資料番号: D0716B  ISSN: 0255-5476  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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