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著者 (12件)：
資料名：
巻： 348 号： 1 ページ： 75-79 発行年： 2012年06月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202222105334044
整理番号：12A0758732
透過型電子顕微鏡法と電子線励起電流法を用いたSi(111)板上のBaSi2エピタキシャル膜における結晶粒界の研究
Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(1 1 1) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique
BABA Masakazu
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
TOH Katsuaki
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
TOKO Kaoru
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
SAITO Noriyuki
(Electron Microscope Facility, IBEC Innovation Platform, AIST, 16-1 Onogawa, Tsukuba 305-8569, JPN)
,
YOSHIZAWA Noriko
(Electron Microscope Facility, IBEC Innovation Platform, AIST, 16-1 Onogawa, Tsukuba 305-8569, JPN)
,
JIPTNER Karolin
(Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
SEKIGUCHI Takashi
(Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
HARA Kosuke O.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
USAMI Noritaka
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
USAMI Noritaka
(Japan Sci. and Technol. Agency, CREST, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0075, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennohdai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Japan Sci. and Technol. Agency, CREST, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0075, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 348 号： 1 ページ： 75-79 発行年： 2012年06月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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