文献
J-GLOBAL ID:201202226442036590
整理番号:12A0524622
MOVPEによるc面サファイア基板上のInGaN系LEDsからの740nm発光
740-nm emission from InGaN-based LEDs on c-plane sapphire substrates by MOVPE
著者 (5件):
OHKAWA Kazuhiro
(Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
WATANABE Tomomasa
(Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
SAKAMOTO Masanori
(Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
HIRAKO Akira
(Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
,
DEURA Momoko
(Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
343
号:
1
ページ:
13-16
発行年:
2012年03月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)