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著者 (9件)：
資料名：
巻： 24th ページ： 253-256 発行年： 2012年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202229898026773
整理番号：12A1485719
4H-SiCトレンチMOSFETの最適構造の決定
Determination of optimum structure of 4H-SiC Trench MOSFET
HARADA Shinsuke
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
HARADA Shinsuke
(R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Tokyo, JPN)
,
KATO Makoto
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA Takahito
(R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Tokyo, JPN)
,
ARIYOSHI Keiko
(R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Tokyo, JPN)
,
TANAKA Yasunori
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TANAKA Yasunori
(R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Tokyo, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th ページ： 253-256 発行年： 2012年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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