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著者 (3件)：
資料名：
巻： 483/485 ページ： 599-604 発行年： 2005年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202230576283434
整理番号：12A0153115
SiC素子プロセスにおけるイオン注入の技術的面
Technological Aspects of Ion Implantation in SiC Device Processes
NEGORO Y.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 483/485 ページ： 599-604 発行年： 2005年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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