文献
J-GLOBAL ID:201202231549248143
整理番号:12A0405478
電源デバイス・アプリケーションに対する4H-SiCウェハのラッピングおよびポリッシング技術の開発
Development of Lapping and Polishing Technologies of 4H-SiC Wafers for Power Device Applications
著者 (10件):
YASHIRO Hirokatsu
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
FUJIMOTO Tatsuo
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
OHTANI Noboru
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
HOSHINO Taizo
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
KATSUNO Masakazu
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
AIGO Takashi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
TSUGE Hiroshi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
NAKABAYASHI Masashi
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
HIRANO Hosei
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
,
TATSUMI Kohei
(Nippon Steel Corp., Chiba, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
600/603
号:
Pt.2
ページ:
819-822
発行年:
2009年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)