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著者 (4件)：
資料名：
巻： 24th ページ： 381-384 発行年： 2012年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202239083238690
整理番号：12A1485749
接合ターミネーション構造を改善した12~20kV級4H-SiC PiNダイオードの絶縁破壊特性
Breakdown Characteristics of 12-20kV-class 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures
NIWA Hiroki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FENG Gan
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th ページ： 381-384 発行年： 2012年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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