文献
J-GLOBAL ID:201202245212379565
整理番号:12A0592111
有機半導体のN,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジン(TPD)と金属表面との埋込み界面の電子構造
Electronic Structure of the Buried Interface Between an Organic Semiconductor, N,N′-Bis(3-methylphenyl)-N,N′-Diphenylbenzidine (TPD), and Metal Surfaces
著者 (5件):
YOSHIDA Hiroyuki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
YOSHIDA Hiroyuki
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
,
ITO Eisuke
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
HARA Masahiko
(RIKEN, Saitama, JPN)
,
SATO Naoki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
12
号:
1
ページ:
494-498
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)