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資料名：
巻： 51 号： 9,Issue 1 ページ： 090204.1-090204.3 発行年： 2012年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202251967205249
整理番号：12A1440876
電子サイクロトロン共鳴プラズマ窒化と室温スパッタによって準備したSi3N4/GeNx/pとn-Ge構造の熱改善と安定性,
Thermal Improvement and Stability of Si3N4/GeNx/p- and n-Ge Structures Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room Temperature
FUKUDA Yukio
(Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN)
,
OKAMOTO Hiroshi
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
IWASAKI Takuro
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
IZUMI Kohei
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
OTANI Yohei
(Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN)
,
ISHIZAKI Hiroki
(Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN)
,
ONO Toshiro
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 9,Issue 1 ページ： 090204.1-090204.3 発行年： 2012年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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