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文献
J-GLOBAL ID:201202252595994345   整理番号:12A1603101

GaNに格子整合したScxAlyGa1-x-yN合金における自発分極とバンドギャップ湾曲の第一原理研究

First-principles study of spontaneous polarization and band gap bowing in ScxAlyGa1-x-yN alloys lattice-matched to GaN
著者 (8件):
SHIMADA Kazuhiro
(Kanto Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
TAKOUDA Masahiro
(Kanto Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
HASHIGUCHI Yuuki
(Kanto Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
CHICHIBU Shigefusa F
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
HATA Masahiro
(Sumitomo-Chemical Co., Ltd, Ibaraki, JPN)
SAZAWA Hiroyuki
(Sumitomo-Chemical Co., Ltd, Ibaraki, JPN)
TAKADA Tomoyuki
(Sumitomo-Chemical Co., Ltd, Ibaraki, JPN)
SOTA Takayuki
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)

資料名:
Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)

巻: 27  号: 10  ページ: 105014,1-5  発行年: 2012年10月 
JST資料番号: E0503B  ISSN: 0268-1242  CODEN: SSTEET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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