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著者 (14件)：
資料名：
巻： 100 号： 4 ページ： 043103 発行年： 2012年01月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202257376463751
整理番号：12A0256958
V2O3ナノ結晶のCrドーピングによって保たれる金属-絶縁体転移
Metal-insulator transition sustained by Cr-doping in V2O3 nanocrystals
ISHIWATA Yoichi
(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)
,
SHIRAISHI Tatsuya
(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)
,
ITO Naoki
(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)
,
SUEHIRO Satoshi
(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)
,
KIDA Tetsuya
(Dep. of Energy and Material Sciences, Kyushu Univ., Fukuoka 816-8580, JPN)
,
ISHII Hirofumi
(National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 30076, Taiwan)
,
TEZUKA Yasuhisa
(Dep. of Advanced Physics, Hirosaki Univ., Hirosaki 036-8561, JPN)
,
INAGAKI Yuji
(Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN)
,
KAWAE Tatsuya
(Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN)
,
OOSATO Hirotaka
(Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN)
,
WATANABE Eiichiro
(Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN)
,
TSUYA Daiju
(Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN)
,
NANTOH Masashi
(Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN)
,
ISHIBASHI Koji
(Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 4 ページ： 043103 発行年： 2012年01月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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