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著者 (5件)：
資料名：
巻： 100 号： 1 ページ： 013504 発行年： 2012年01月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202262472648960
整理番号：12A0121781
単結晶β-Ga2O3(010)基板上の酸化ガリウム(Ga2O3)金属-半導体電界効果トランジスタ
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Co., Ltd., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Co., Ltd., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
MASUI Takekazu
(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Co., Ltd., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 1 ページ： 013504 発行年： 2012年01月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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