文献
J-GLOBAL ID:201202268593920208
整理番号:12A0295144
減少したゲート長のULSIセルにおける転位蓄積のシミュレーション
Simulation of Dislocation Accumulation in ULSI Cells of Reduced Gate Length
著者 (5件):
SATO Michihiro
(Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
,
OHASHI Tetsuya
(Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
,
AIKAWA Keisuke
(Alps Electric Co., Ltd., Fukushima, JPN)
,
MARUIZUMI Takuya
(Tokyo City Univ., Tokyo, JPN)
,
KITAGAWA Isao
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
654/656
号:
Pt.2
ページ:
1682-1685
発行年:
2010年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)