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著者 (5件)：
資料名：
巻： 483/485 ページ： 805-808 発行年： 2005年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202282994452862
整理番号：12A0153165
炭素面基板上の4H-SiC横RESURF MOSFET
4H-SiC Lateral RESURF MOSFETs on Carbon-face Substrates
OKAMOTO Mitsuo
(Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI Seiji
(Ultra-low-loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN)
,
KATO Makoto
(Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YATSUO Tsutomu
(Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA Kenji
(Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 483/485 ページ： 805-808 発行年： 2005年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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