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資料名：
巻： 51 号： 10,Issue 1 ページ： 101601.1-101601.5 発行年： 2012年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202283155796447
整理番号：12A1584207
薄い三酸化モリブデン層を用いたペンタセン薄膜トランジスタにおける改良した見かけの電界効果移動度の背後にあるメカニズム
Mechanism behind Improved Apparent Field-Effect Mobility in Pentacene Thin-Film Transistors with Thin Molybdenum Trioxide Layer
MINAGAWA Masahiro
(Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN)
,
SATO Yasuo
(Niigata Univ., Niigata, JPN)
,
TAKAHASHI Akira
(Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata, JPN)
,
BABA Akira
(Niigata Univ., Niigata, JPN)
,
SHINBO Kazunari
(Niigata Univ., Niigata, JPN)
,
KATO Keizo
(Niigata Univ., Niigata, JPN)
,
KANEKO Futao
(Niigata Univ., Niigata, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 10,Issue 1 ページ： 101601.1-101601.5 発行年： 2012年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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