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著者 (5件)：
資料名：
巻： 33 号： 7 ページ： 1084-1086 発行年： 2012年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201202288908546092
整理番号：12A1037279
ICP-CVDで製作したボトムゲートグラフェンFETsのNO2とNH3ガス感度に対する温度と湿度の影響
Effect of Temperature and Humidity on NO2 and NH3 Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepared by ICP-CVD
KIM Chang-Hee
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
YOO Sung-Won
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
NAM Dong-Woo
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SEO Sunae
(Sejong Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jong-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 33 号： 7 ページ： 1084-1086 発行年： 2012年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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