文献
J-GLOBAL ID:201202289837897286
整理番号:12A0495345
ナノスケールの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるホットキャリア注入による界面捕獲の発生過程
The Generation Process of Interface Traps by Hot-Carrier Injection in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
著者 (3件):
HU Ming
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
YAMANE Takuya
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
TSUCHIYA Toshiaki
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
2,Issue 2
ページ:
02BC09.1-02BC09.5
発行年:
2012年02月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)