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資料名：
巻： 95 号： 11 ページ： 986-991 発行年： 2012年11月01日
JST資料番号： F0019A ISSN： 0913-5693 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201202291915487310
整理番号：12A1598974
世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 2.不揮発性メモリ技術の最前線 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向
遠藤哲郎
(東北大 大学院工学研究科)
,
大澤隆
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
小池洋紀
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
羽生貴弘
(東北大 電通研)
,
笠井直記
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
大野英男
(東北大 電通研)
資料名：
電子情報通信学会誌
(Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
巻： 95 号： 11 ページ： 986-991 発行年： 2012年11月01日
JST資料番号： F0019A ISSN： 0913-5693 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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