文献
J-GLOBAL ID:201202296793760071
整理番号:12A1217312
Cr蒸着n型Si(001)ウエハにおけるCr(OH)3/n-Si Schottky障壁の崩壊と原子架橋型表面光起電力の成長
Collapse of Cr(OH)3/n-Si Schottky barrier and growth of atomic bridging-type surface photovoltages in Cr-deposited n-type Si(001) wafers
著者 (2件):
SHIMIZU Hirofumi
(Nihon Univ., Koriyama, JPN)
,
SANADA Yuji
(Nihon Univ., Koriyama, JPN)
資料名:
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻:
44
号:
8
ページ:
1035-1038
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
E0709A
ISSN:
0142-2421
CODEN:
SIANDQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)