文献
J-GLOBAL ID:201202297004466365
整理番号:12A1115375
有機電界効果トランジスタのためのゲート誘電材料としてのポリシルセスキオキサンの研究
Investigation of polysilsesquioxane as a gate dielectric material for organic field-effect transistors
著者 (8件):
KAWAMURA M.
(Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
,
NAKAHARA Yoshio
(Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
,
OHSE Mitsuhiro
(Konishi Chemical Ind. Co., Ltd., 3-4-77 Kozaika, Wakayama 641-0007, JPN)
,
KUMEI Maki
(Konishi Chemical Ind. Co., Ltd., 3-4-77 Kozaika, Wakayama 641-0007, JPN)
,
UNO K.
(Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
,
SAKAMOTO Hidefumi
(Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
,
KIMURA Keiichi
(Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
,
TANAKA Ichiro
(Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
5
ページ:
053311-053311-4
発行年:
2012年07月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)