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J-GLOBAL ID：201302202874298480 整理番号：13A0249915

p型Mg_2(1+z)(Si_0.3Sn_0.7)_1-yGa_yのGaドーピングと過剰なMgによる増進したホール濃度と熱電特性

Enhanced hole concentration through Ga doping and excess of Mg and thermoelectric properties of p-type Mg_2(1+z)(Si_0.3Sn_0.7)_1-yGa_y

著者 (7件)：

LIU Wei

(State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN)

,

YIN Kang

(State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN)

,

SU Xianli

(State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN)

,

LI Han

(State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN)

,

YAN Yonggao

(State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN)

,

TANG Xinfeng

(State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol., Wuhan 430070, CHN)

,

UHER Ctirad

(Dep. of Physics, Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA)

資料名：

Intermetallics (Intermetallics)

巻： 32 ページ： 352-361 発行年： 2013年01月
JST資料番号： W0672A ISSN： 0966-9795 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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