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J-GLOBAL ID：201302205793603881 整理番号：13A1220665

低い書込み電流を得る電流密度増大ナノ接触相変化メモリ

Current density enhancement nano-contact phase-change memory for low writing current

著者 (8件)：

YIN You

(Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN)

HOSAKA Sumio

(Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN)

IK PARK Woon

(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)

SIK JUNG Yeon

(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)

JAE LEE Keon

(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)

KUK YOU Byoung

(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)

LIU Yang

(State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)

YU Qi

(State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 103 号： 3 ページ： 033116-033116-5 発行年： 2013年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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