Sorry, this section is only available in Japanese.
前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:201302205793603881   整理番号:13A1220665

低い書込み電流を得る電流密度増大ナノ接触相変化メモリ

Current density enhancement nano-contact phase-change memory for low writing current
著者 (8件):
YIN You
(Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN)
HOSAKA Sumio
(Div. of Electronics and Informatics, Fac. of Sci. and Technol., Gunma Univ., 1-5-1 Tenjin, Kiryu, Gunma 376-8515, JPN)
IK PARK Woon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
SIK JUNG Yeon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
JAE LEE Keon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
KUK YOU Byoung
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 291 Daehak-ro, Yuseong-gu ...)
LIU Yang
(State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
YU Qi
(State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Cells, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 103  号:ページ: 033116-033116-5  発行年: 2013年07月15日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。