文献
J-GLOBAL ID:201302207686160279
整理番号:13A1314273
分子ビームエピタクシーによりInP上に成長させたInAs量子ドットからの通信帯での単一光子放出
Single-photon emission in telecommunication band from an InAs quantum dot grown on InP with molecular-beam epitaxy
著者 (7件):
LIU X.
(Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN)
,
AKAHANE K.
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
JAHAN N. A.
(Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN)
,
KOBAYASHI N.
(Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN)
,
SASAKI M.
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
KUMANO H.
(Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN)
,
SUEMUNE I.
(Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ., Sapporo 001-0021, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
103
号:
6
ページ:
061114-061114-4
発行年:
2013年08月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)