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資料名：
号： 31 ページ： 47-50 発行年： 2013年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201302209212113078
整理番号：13A0673041
シリコンゲルマニウム薄膜の固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーション
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF THE SOLID-PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON GERMANIUM THIN FILM
YOSHIMARU Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
MATSUMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 31 ページ： 47-50 発行年： 2013年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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