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著者 (7件)：
資料名：
巻： 380 ページ： 197-204 発行年： 2013年10月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201302219816239318
整理番号：13A1387056
CBr4を用いた有機金属化学気相堆積(MOCVD)法による(001)InP基板上InGaAsSb膜への炭素ドーピング
Carbon doping in InGaAsSb films on (001) InP substrate using CBr4 grown by metalorganic chemical vapor deposition
HOSHI T.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
,
SUGIYAMA H.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
,
YOKOYAMA H.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
,
KURISHIMA K.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
,
IDA M.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
,
MATSUZAKI H.
(NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
,
TATENO K.
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198 Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 380 ページ： 197-204 発行年： 2013年10月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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