文献
J-GLOBAL ID:201302221755873170
整理番号:13A1738986
IBIECとSPEGによるSiGe/Siの再成長特性
Regrowth characteristics of SiGe/Si by IBIEC and SPEG
著者 (5件):
AWANE K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
KOKUBO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
YOMOGIDA M.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
NISHIMURA T.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
307
ページ:
399-403
発行年:
2013年
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)