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文献
J-GLOBAL ID:201302228632219500   整理番号:13A0293113

過渡的電子ビーム誘起電流を使用した多結晶シリコンにおける少数キャリア寿命分布のマッピング

Mapping of minority carrier lifetime distributions in multicrystalline silicon using transient electron-beam-induced current
著者 (5件):
KUSHIDA Takuya
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
TANAKA Shigeyasu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
MORITA Chiaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
TANJI Takayoshi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
OHSHITA Yoshio
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)

資料名:
Journal of Electron Microscopy  (Journal of Electron Microscopy)

巻: 61  号:ページ: 293-298  発行年: 2012年10月 
JST資料番号: W1384A  ISSN: 0022-0744  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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