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著者 (4件)：
資料名：
巻： 60 号： 10 ページ： 3053-3059 発行年： 2013年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201302230388546409
整理番号：13A1660398
パワースイッチングデバイスのためのGaNオンSi技術
GaN on Si Technologies for Power Switching Devices
ISHIDA Masahiro
(Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN)
,
TANAKA Tsuyoshi
(Panasonic Corp. Nagaokakyo, JPN)
,
UEDA Daisuke
(Panasonic Corp., Seika-cho, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60 号： 10 ページ： 3053-3059 発行年： 2013年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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