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著者 (14件)：
資料名：
巻： 113 号： 1(ICD2013 1-23) ページ： 27-32 発行年： 2013年04月04日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201302235970667190
整理番号：13A0892767
32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb4T2MTJ STT-RAM-1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成-
1Mb 4T-2MTJ Nonvolatile STT-RAM for Embedded Memories Using 32b Fine-Gained Power Gating Technique-Achieves 1.0ns/200ps Wake-Up/Power-Off Times-
遠藤哲郎
(東北大 大学院)
,
遠藤哲郎
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
遠藤哲郎
(東北大 国際集積エレクトロニクス研究開発セ)
,
大澤隆
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
小池洋紀
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
三浦貞彦
(NEC グリーンプラットフォーム研)
,
本庄弘明
(NEC グリーンプラットフォーム研)
,
徳留圭一
(NEC グリーンプラットフォーム研)
,
池田正二
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
羽生貴弘
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
大野英男
(東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
,
池田正二
(東北大 電通研)
,
羽生貴弘
(東北大 電通研)
,
大野英男
(東北大 電通研)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113 号： 1(ICD2013 1-23) ページ： 27-32 発行年： 2013年04月04日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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