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文献
J-GLOBAL ID:201302239059481115   整理番号:13A1283113

変調型窒素ラジカルビーム源を用いたRF-MBEによって成長したGaNAs/GaAs MQWs p-i-n接合のエレクトロルミネセンス

Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source
著者 (15件):
OHTA Natsumi
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
ARIMOTO Kohei
(Teikoku Databank, Ltd., 2-5-20 Minami Aoyama, Minato-ku, Tokyo 107-8680, JPN)
SHIRAGA Masahiro
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
ISHII Kenta
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
INADA Masatoshi
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
YANAI Shunsuke
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
NAKAI Yuko
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
AKIYAMA Hidefumi
(Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)
MOCHIZUKI Toshimitsu
(Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)
TAKAHASHI Toshio
(Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)
TAKAHASHI Naoshi
(Fac. of Education, Kagawa Univ., 1-1 Saiwai-cho, Takamatsu, Kagawa 760-8521, JPN)
MIYAGAWA Hayato
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
TSURUMACHI Noriaki
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
NAKANISHI Shunsuke
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
KOSHIBA Shyun
(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 378  ページ: 150-153  発行年: 2013年09月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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