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J-GLOBAL ID：201302239059481115 整理番号：13A1283113

変調型窒素ラジカルビーム源を用いたRF-MBEによって成長したGaNAs/GaAs MQWs p-i-n接合のエレクトロルミネセンス

Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source

著者 (15件)：

OHTA Natsumi

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

ARIMOTO Kohei

(Teikoku Databank, Ltd., 2-5-20 Minami Aoyama, Minato-ku, Tokyo 107-8680, JPN)

SHIRAGA Masahiro

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

ISHII Kenta

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

INADA Masatoshi

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

YANAI Shunsuke

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

NAKAI Yuko

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

AKIYAMA Hidefumi

(Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)

MOCHIZUKI Toshimitsu

(Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)

TAKAHASHI Toshio

(Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN)

TAKAHASHI Naoshi

(Fac. of Education, Kagawa Univ., 1-1 Saiwai-cho, Takamatsu, Kagawa 760-8521, JPN)

MIYAGAWA Hayato

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

TSURUMACHI Noriaki

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

NAKANISHI Shunsuke

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

KOSHIBA Shyun

(Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 378 ページ： 150-153 発行年： 2013年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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