文献
J-GLOBAL ID:201302241907448322
整理番号:13A1331900
90nmCMOS技術で作られた完全機能化64Mb DDR3 ST-MRAM
A Fully Functional 64Mb DDR3 ST-MRAM Built on 90nm CMOS Technology
著者 (15件):
RIZZO N. D.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
HOUSSAMEDDINE D.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
JANESKY J.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
WHIG R.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
MANCOFF F. B.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
SCHNEIDER M. L.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
DEHERRERA M.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
SUN J. J.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
NAGEL K.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
DESHPANDE S.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
CHIA H.-J.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
ALAM S. M.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
ANDRE T.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
AGGARWAL S.
(Everspin Technol., AZ, USA)
,
SLAUGHTER J. M.
(Everspin Technol., AZ, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Magnetics
(IEEE Transactions on Magnetics)
巻:
49
号:
7
ページ:
4441-4446
発行年:
2013年07月
JST資料番号:
A0339B
ISSN:
0018-9464
CODEN:
IEMGAQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)