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J-GLOBAL ID：201302249253693870 整理番号：13A1654955

二波長励起光静電容量分光法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜の深準位欠陥の研究

Investigation of deep-level defects in Cu(In,Ga)Se₂ thin films by two-wavelength excitation photo-capacitance spectroscopy

著者 (7件)：

HU Xiaobo

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)

GUPTA Amit

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)

SAKURAI Takeaki

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)

YAMADA Akimasa

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

ISHIZUKA Shogo

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

NIKI Shigeru

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

AKIMOTO Katsuhiro

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 103 号： 16 ページ： 163905-163905-4 発行年： 2013年10月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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二波長励起光静電容量分光法によるCu(In,Ga)Se2薄膜の深準位欠陥の研究

二波長励起光静電容量分光法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜の深準位欠陥の研究