文献
J-GLOBAL ID:201302249671653230
整理番号:13A0495155
高密度キャッシュメモリのための面内及び垂直MTJに基づくSTT-MRAMのスケーリングロードマップと性能評価
A Scaling Roadmap and Performance Evaluation of In-Plane and Perpendicular MTJ Based STT-MRAMs for High-Density Cache Memory
著者 (6件):
CHUN Ki Chul
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
ZHAO Hui
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
HARMS Jonathan D.
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
KIM Tae-Hyoung
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
WANG Jian-Ping
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
KIM Chris H.
(Univ. Minnesota, MN, USA)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
48
号:
2
ページ:
598-610
発行年:
2013年02月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)