文献
J-GLOBAL ID:201302251330609386
整理番号:13A1222886
HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制
Suppression of GeOx with rutile TiO2 Interlayer between HfO2 and Ge
著者 (8件):
小橋和義
(明治大)
,
小橋和義
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
長田貴弘
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
生田目俊秀
(明治大)
,
生田目俊秀
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
山下良之
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
小椋厚志
(明治大)
,
知京豊裕
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
113
号:
87(SDM2013 44-64)
ページ:
25-28
発行年:
2013年06月11日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)