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文献
J-GLOBAL ID:201302251330609386   整理番号:13A1222886

HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制

Suppression of GeOx with rutile TiO2 Interlayer between HfO2 and Ge
著者 (8件):
小橋和義
(明治大)
小橋和義
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
長田貴弘
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
生田目俊秀
(明治大)
生田目俊秀
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
山下良之
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
小椋厚志
(明治大)
知京豊裕
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 113  号: 87(SDM2013 44-64)  ページ: 25-28  発行年: 2013年06月11日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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