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J-GLOBAL ID：201302253911213150 整理番号：12A1798797

アドミッタンス分光法を用いた,p-GaAs/n-GaInNAsSb/n-GaAs太陽電池構造内の適度にSiドープしたGaInNAsSb層における欠陥型の同定

Identification of defect types in moderately Si-doped GaInNAsSb layer in p-GaAs/n- GaInNAsSb/n-GaAs solar cell structure using admittance spectroscopy

著者 (6件)：

MONIRUL ISLAM Muhammad

(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)

MIYASHITA Naoya

(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)

AHSAN Nazmul

(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)

SAKURAI Takeaki

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, JPN)

AKIMOTO Katsuhiro

(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, JPN)

OKADA Yoshitaka

(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 112 号： 11 ページ： 114910-114910-9 発行年： 2012年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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