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資料名：
号： 31 ページ： 55-58 発行年： 2013年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201302258177803733
整理番号：13A0673042
IBIECによるSiGe/Siの再成長の特性評価
REGROWTH CHARACTERISTICS OF SiGe/Si BY IBIEC
AWANE K.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
SEKINE W.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
MIYASHITA M.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO Y.
(Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement
(Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 31 ページ： 55-58 発行年： 2013年03月
JST資料番号： L0263A ISSN： 0914-2908 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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