Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (10件)：
資料名：
巻： 113 号： 173(ICD2013 47-69) ページ： 53-57 発行年： 2013年07月25日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201302262599966250
整理番号：13A1513793
低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
A cost-effective 45nm 6T-SRAM reducing 50mV Vmin and 53% standby leakage with multi-Vt asymmetric halo MOS and write assist circuitry
新居浩二
(ルネサスエレクトロニクス)
,
新居浩二
(金沢大)
,
薮内誠
(ルネサスエレクトロニクス)
,
薮内誠
(金沢大)
,
藤原英弘
(ルネサスエレクトロニクス)
,
塚本康正
(ルネサスエレクトロニクス)
,
石井雄一郎
(ルネサスエレクトロニクス)
,
石井雄一郎
(金沢大)
,
松村哲哉
(日本大)
,
松田吉雄
(金沢大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113 号： 173(ICD2013 47-69) ページ： 53-57 発行年： 2013年07月25日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。