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資料名：
巻： 52 号： 5,Issue 1 ページ： 051101.1-051101.5 発行年： 2013年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201302263773198611
整理番号：13A0988444
熱酸化による半導体β-Ga2O3単結晶上の半絶縁層の形成
Formation of Semi-Insulating Layers on Semiconducting β-Ga2O3 Single Crystals by Thermal Oxidation
OSHIMA Takayoshi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KAMINAGA Kenichi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MUKAI Akira
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
MASUI Takekazu
(KOHA Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
FUJITA Shizuo
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OHTOMO Akira
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
OHTOMO Akira
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 5,Issue 1 ページ： 051101.1-051101.5 発行年： 2013年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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