文献
J-GLOBAL ID:201302274531865631
整理番号:13A1222894
SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes
著者 (6件):
大田晃生
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
福嶋太紀
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
牧原克典
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
村上秀樹
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
東清一郎
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
宮崎誠一
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
113
号:
87(SDM2013 44-64)
ページ:
61-66
発行年:
2013年06月11日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)