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資料名：
巻： 112 号： 456(OME2012 90-104) ページ： 19-23 発行年： 2013年02月26日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201302274929984703
整理番号：13A0787298
テラヘルツ帯液晶素子の応答速度改善及び閾値電圧の低下
Improvement of Response Speed and Threshold Voltage of Terahertz Liquid Crystal Devices
熊谷孝幸
(大阪大 大学院工学研究科)
,
伊東良太
(秋田県大 システム科学技術)
,
吉田浩之
(大阪大 大学院工学研究科)
,
久保等
(大阪大 大学院工学研究科)
,
藤井彰彦
(大阪大 大学院工学研究科)
,
能勢敏明
(秋田県大 システム科学技術)
,
斗内政吉
(大阪大 大学院 レーザーエネルギー学研究セ)
,
尾崎雅則
(大阪大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 456(OME2012 90-104) ページ： 19-23 発行年： 2013年02月26日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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