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J-GLOBAL ID：201302275221474329 整理番号：13A1556573

β-Ga₂O₃(010)基板上の空乏モードGa₂O₃金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と素子特性の温度依存性

Depletion-mode Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga₂O₃ (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics

著者 (8件)：

HIGASHIWAKI Masataka

(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

,

SASAKI Kohei

(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

,

KAMIMURA Takafumi

(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

,

HOI WONG Man

(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

,

KRISHNAMURTHY Daivasigamani

(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

,

KURAMATA Akito

(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)

,

MASUI Takekazu

(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN)

,

YAMAKOSHI Shigenobu

(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 103 号： 12 ページ： 123511-123511-4 発行年： 2013年09月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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