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著者 (17件)：
資料名：
巻： 2013 ページ： 113-114 発行年： 2013年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201302282432677788
整理番号：13A1795995
垂直磁化CoFeB/MgO磁気トンネル接合と下層硬磁石による低電流磁壁運動MRAM
Low-Current Domain Wall Motion MRAM with Perpendicularly Magnetized CoFeB/MgO Magnetic Tunnel Junction and Underlying Hard Magnets
SUZUKI T.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
TANIGAWA H.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Y.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
MORI K.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
ITO Y.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
OZAKI Y.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
SUEMITSU K.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
KITAMURA T.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAGAHARA K.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
KARIYADA E.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
OHSHIMA N.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUKAMI S.
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
,
YAMANOUCHI M.
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
,
IKEDA S.
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
,
HAYASHI M.
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
SAKAO M.
(Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
OHNO H.
(Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2013 ページ： 113-114 発行年： 2013年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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